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Typical Characteristics
10
100
I D = -0.5A
V DS = -12V
-24V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
6
4
2
0
-48V
80
60
40
20
0
C RSS
C OSS
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
10
20
30
40
50
60
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA = 350°C/W
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
100us
4
T A = 25°C
10ms
3
0.1
10s
100ms
1s
2
V GS = -10V
DC
0.01
0.001
SINGLE PULSE
R θ JA = 350 o C/W
T A = 25 o C
1
0
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 350 o C/W
P(pk)
0.01
0.02
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1a.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDS0610 Rev B(W)
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